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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF24300NR3

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF24300NR3

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF24300NR3
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF24300NR3
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF24300NR3
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
TRANSPORT 2450MHZ 300 DE LA PUISSANCE LDMOS DE RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF24300NR3

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2.45GHz
Gain 13.1dB
Tension - essai 32V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 330W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas OM-780-2
Paquet de dispositif de fournisseur OM-780-2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF24300NR3

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF24300NR3Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF24300NR3Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF24300NR3Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF24300NR3

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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