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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1203,115

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1203,115

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1203,115
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1203,115
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BF1203,115
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques BF1203,115

Statut de partie Obsolète
Type de transistor N-canal à double portail
Fréquence 400MHz
Gain 27dB
Tension - essai 5V
Estimation actuelle 30mA
Chiffre de bruit 1dB
Actuel - essai 15mA
Puissance de sortie -
Tension - évaluée 10V
Paquet/cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquet de dispositif de fournisseur 6-TSSOP
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BF1203,115

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1203,115Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1203,115Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1203,115Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BF1203,115

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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