Envoyer le message
À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLF6G20S-230PRN : Puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF6G20S-230PRN : Puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF6G20S-230PRN : 11
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLF6G20S-230PRN : 11 caractéristiques

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.8GHz | 1.88GHz
Gain 17.5dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 2A
Puissance de sortie 65W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT539B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT539B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLF6G20S-230PRN : Emballage 11

Détection

BLF6G20S-230PRN : Puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G20S-230PRN : Puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G20S-230PRN : Puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G20S-230PRN : Puce de 11 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable