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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLF6G24-180PN, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF6G24-180PN, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

BLF6G24-180PN, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
BLF6G24-180PN, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF6G24-180PN, 112
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLF6G24-180PN, 112 caractéristiques

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2GHz | 2.2GHz
Gain 17.5dB
Tension - essai -
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie 50W
Tension - évaluée -
Paquet/cas SOT539A
Paquet de dispositif de fournisseur SOT539A
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BLF6G24-180PN, emballage 112

Détection

BLF6G24-180PN, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G24-180PN, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G24-180PN, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETsBLF6G24-180PN, puce de 112 de transistor à effet de champ de transistors transistors MOSFET rf de FETs

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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