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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ AFT05MS003NT1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ AFT05MS003NT1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ AFT05MS003NT1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ AFT05MS003NT1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
AFT05MS003NT1
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
TRANSPORT RF LDMOS D'IC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques AFT05MS003NT1

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 520MHz
Gain 20.8dB
Tension - essai 7.5V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 3W
Tension - évaluée 30V
Paquet/cas TO-243AA
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-89-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage AFT05MS003NT1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ AFT05MS003NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ AFT05MS003NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ AFT05MS003NT1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ AFT05MS003NT1

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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