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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLS6G2735LS-30,112
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

BLS6G2735LS-30,112 Specifications

Part Status Active
Transistor Type LDMOS
Frequency 3.1GHz ~ 3.5GHz
Gain 13dB
Voltage - Test 32V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 50mA
Power - Output 30W
Voltage - Rated 60V
Package / Case SOT-1135B
Supplier Device Package CDFM2
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

BLS6G2735LS-30,112 Packaging

Detection

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF ChipBLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF ChipBLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF ChipBLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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