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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPTB00004A

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPTB00004A

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPTB00004A
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NPTB00004A
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
NPTB00004A
Fabricant:
Solutions de technologie de M/A-Com
Description:
HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de NPTB00004A

Statut de partie Actif
Type de transistor HEMT
Fréquence 0Hz | 6GHz
Gain 14.8dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 1.4A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 50mA
Puissance de sortie 4W
Tension - évaluée 100V
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SOIC
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de NPTB00004A

Détection

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Nombre de pièces:
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