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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6V2150NBR1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6V2150NBR1

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6V2150NBR1
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6V2150NBR1
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF6V2150NBR1
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF6V2150NBR1

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 220MHz
Gain 25dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 450mA
Puissance de sortie 150W
Tension - évaluée 110V
Paquet/cas TO-272BB
Paquet de dispositif de fournisseur TO-272 WB-4
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF6V2150NBR1

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6V2150NBR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6V2150NBR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6V2150NBR1Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF6V2150NBR1

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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