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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50HR5

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50HR5

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50HR5
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50HR5
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
MRF1K50HR5
Fabricant:
NXP USA Inc.
Description:
TRANSISTOR DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques MRF1K50HR5

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.8MHz | 500MHz
Gain 22.5dB
Tension - essai -
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai -
Puissance de sortie 1500W
Tension - évaluée 50V
Paquet/cas SOT-979A
Paquet de dispositif de fournisseur NI-1230-4H
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage MRF1K50HR5

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50HR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50HR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50HR5Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ MRF1K50HR5

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Nombre de pièces:
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