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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SD2932W

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SD2932W

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SD2932W
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SD2932W
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SD2932W
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
TRANSPORT RF HF/VHF/UHF D'IC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de SD2932W

Statut de partie Actif
Type de transistor N-canal
Fréquence 175MHz
Gain 16dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle 40A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 500mA
Puissance de sortie 300W
Tension - évaluée 125V
Paquet/cas M244
Paquet de dispositif de fournisseur M244
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de SD2932W

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SD2932WPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SD2932WPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SD2932WPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de SD2932W

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Nombre de pièces:
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